Samsung’un Yeni Bellek Yol Haritası: HBM5 ve zHBM’de Büyük Performans Hedefi

Samsung, SEMICON Taiwan 2026 kapsamında yeni bellek teknolojilerine yönelik yol haritasını açıkladı. Şirketin planlarında HBM5 ve HBM mimarisinde önemli bir değişiklik getirecek zHBM öne çıkarken, NAND tarafında ise zNAND-O teknolojisi üzerinde çalışmalar sürüyor. Yeni nesil belleklerde performans, enerji verimliliği ve termal özelliklerin geliştirilmesi hedefleniyor.

HBM5 Performansı İkiye Katlayacak

Samsung’un açıkladığı yol haritasına göre HBM5, HBM4E’ye kıyasla ham performansta iki kat artış sağlayacak. Şirket bunun yanında watt başına performans değerinde yüzde 20 yükseliş ve termal dirençte yüzde 20 düşüş hedefliyor. HBM5’in taban yongasında ise mevcut nesillerden farklı bir üretim sürecine geçilecek.

HBM4 ve HBM4E’de kullanılan 4 nm üretim sürecinin yerine Samsung’un kendi 2 nm teknolojisi kullanılacak. Bellek yığını tarafında ise 12, 16 ve 20 katmanlı seçenekler sunulacak. HBM5’in seri üretiminin yaklaşık 2028 yılında başlaması bekleniyor.

Samsung, HBM4 çalışmalarını da sürdürüyor. Şirket şu anda pin başına 11,7 Gbps hızında çalışan HBM4 gönderirken, Hot Chips 2026 konferansının Advance Program bölümünde 16 Gbps/pin hızındaki HBM4E’yi göndermeye hazırlandığını doğrulamıştı.

zHBM Belleği İşlemcinin Üzerine Taşıyacak

Samsung’un daha uzun vadeli planlarında yer alan zHBM, mevcut HBM mimarisinden farklı bir tasarım anlayışı getiriyor. Geleneksel HBM yapısında bellek hızlandırıcının yanında konumlandırılırken zHBM’de belleğin doğrudan işlemcinin üzerine yerleştirilmesi hedefleniyor. Bu tasarımla veri yolunun kısaltılması, bant genişliğinin artırılması ve enerji verimliliğinin iyileştirilmesi amaçlanıyor.

Samsung, zHBM için HBM4E’ye göre 8 kat ham performans artışı hedefliyor. Watt başına performans tarafında ise üç kat iyileşme öngörülüyor. Termal direnç konusunda da önemli bir değişiklik planlayan şirket, bu değeri yüzde 75 ila 90 arasında azaltmayı amaçlıyor.

Samsung, FMS 2026 etkinliğinde zHBM teknolojisine ait sektördeki ilk konsept modelleri göstermişti. Tamamen farklı bir HBM mimarisi kullanan teknolojinin 2029 sonrasında piyasaya çıkması bekleniyor.

zNAND-O İçin İlk Örneklemeler 2028’de Başlayacak

Samsung’un yeni bellek planları NAND teknolojisini de kapsıyor. Şirket, zNAND-O üzerinde çalışmalarını sürdürürken teknoloji için ilk örneklemelerin 2028 yılında başlaması planlanıyor. zNAND-O ile DRAM’in 10 katı bit yoğunluğu hedefleniyor.

Yeni NAND teknolojisinde okuma bant genişliğinin geleneksel NAND çözümlerine kıyasla 7 kata çıkarılması planlanıyor. Samsung ayrıca bu performans artışının yanında geleneksel NAND seviyesindeki güç verimliliğinin korunmasını amaçlıyor.

HBM5 ne kadar performans artışı sunacak?

Samsung’un yol haritasına göre HBM5, HBM4E’ye kıyasla iki kat ham performans artışı sağlayacak. Watt başına performansta da yüzde 20 artış hedefleniyor.

HBM5 ne zaman üretilecek?

HBM5’in seri üretiminin yaklaşık 2028 yılında başlaması bekleniyor. Yeni nesilde 2 nm üretim teknolojisinin kullanılması planlanıyor.

zHBM nedir?

zHBM, belleğin hızlandırıcının yanında değil doğrudan işlemcinin üzerine yerleştirilmesini hedefleyen yeni bir HBM mimarisi. Samsung bu tasarımla daha yüksek bant genişliği ve daha iyi enerji verimliliği amaçlıyor.

zHBM ne kadar performans sunacak?

Samsung, zHBM ile HBM4E’ye kıyasla sekiz kat ham performans ve watt başına performansta üç kat iyileşme hedefliyor. Termal direncin ise yüzde 75 ila 90 arasında azaltılması planlanıyor.

zNAND-O ne zaman geliyor?

zNAND-O için ilk örneklemelerin 2028 yılında başlaması planlanıyor. Teknolojide DRAM’in 10 katı bit yoğunluğu ve geleneksel NAND çözümlerine kıyasla yedi kat okuma bant genişliği hedefleniyor.